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西安電子科技大學第三代半導體創新轉化項目落戶常州武進
2020年09月09日 發布 分類:行業要聞 點擊量:140
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9月1日,武進國家高新區與西安電子科技大學簽署協議,雙方將在武進高新區聯合建設長三角化合物半導體創新基地。根據協議,雙方將共建寬禁帶半導體國家工程中心常州分中心,西安電子科技大學將為常州分中心提供技術支持,并協助本地高校一起,聯合培養微電子技術專業人才,為常州分中心建設發展提供人才支持。

武進新聞網

圖片來源:武進新聞網

中國科學院院士、西安電子科技大學微電子學院教授郝躍表示,化合物半導體已成為集成電路產業新的驅動與方向,常州立足長三角布局化合物半導體產業鏈,為區域化合物半導體產業發展提供了支點。此次與武進高新區合作,將爭取更多的科技成果在常州地區轉化,做強做大集成電路產業。

備注:

郝躍教授長期從事新型寬禁帶半導體材料和器件、微納米半導體器件與高可靠集成電路等方面的科學研究與人才培養,是國家重大基礎研究(973)計劃項目首席科學家、國家有突出貢獻的中青年專家和微電子技術領域的著名專家。他在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導體功能材料和微波器件、半導體照明短波長光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機理研究等方面取得了系統的創新成果。

郝躍教授帶領的寬禁帶半導體技術科研團隊,依托寬帶隙半導體技術國家重點學科實驗室,開展寬禁帶半導體材料與器件的應用基礎研究,實驗室已成為國內外寬禁帶半導體材料和器件的科學研究、人才培養、學術交流、成果轉化方面的重要基地,是西安電子科技大學微電子學與固體電子學國家重點學科、“211工程”重點建設學科和國家集成電路人才培養基地的重要支撐。

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